produk eienskappe
TIPE
BESKRYF
kategorie
Diskrete halfgeleierprodukte
Transistor – FET, MOSFET – Enkel
vervaardiger
Infineon Technologies
reeks
CoolGaN™
Pakket
Band en spoel (TR)
Skuifband (CT)
Digi-Reel® Pasgemaakte Reel
Produk Status
gestaak
VOO tipe
N kanaal
tegnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Dreineerbronspanning (Vdss)
600V
Stroom by 25°C – Deurlopende drein (Id)
31A (Tc)
Aandryfspanning (Maksimum Rds aan, Min Rds aan)
-
Aan-weerstand (maks) by verskillende Id, Vgs
-
Vgs(de) (maksimum) by verskillende Ids
1,6V @ 2,6mA
Vgs (maksimum)
-10V
Insetkapasitansie (Ciss) by verskillende Vds (maks.)
380pF @ 400V
FET funksie
-
Kragafvoer (maksimum)
125 W (Tc)
Werkstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
tipe installasie
Tipe Oppervlakmontering
Verskaffertoestelverpakking
PG-DSO-20-87
Pakket/omhulsel
20-PowerSOIC (0,433 duim, 11,00 mm breed)
Basiese produknommer
IGOT60
Media en aflaaie
HULPBRONTIPE
SKAKEL
Spesifikasies
IGOT60R070D1
GaN Keurgids
CoolGaN™ 600 V e-modus GaN HEMTs Opdrag
Ander verwante dokumente
GaN in adapters/laaiers
GaN in Server en Telecom
Betroubaarheid en Kwalifikasie van CoolGaN
Hoekom CoolGaN
GaN in draadlose laai
video lêer
CoolGaN™ 600V e-modus HEMT halfbrug-evalueringsplatform met GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – die nuwe kragparadigma
2500 W volbrug-totempaal PFC-evaluasiebord met CoolGaN™ 600 V
HTML spesifikasies
CoolGaN™ 600 V e-modus GaN HEMTs Opdrag
IGOT60R070D1
Omgewing en Uitvoer Klassifikasie
KENMERKE
BESKRYF
RoHS-status
Voldoen aan ROHS3-spesifikasie
Voggevoeligheidsvlak (MSL)
3 (168 uur)
REACH-status
Nie-REACH produkte
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
